> ls /sys/microled/

MicroLED 技術

次世代ディスプレイと通信技術のコアを探る

[SYS.01] コア技術原理

MicroLEDサイズ<100μm、自発光ディスプレイ、バックライト不要。EQE（外部量子効率）の向上が核心的課題で、GaN材料が主流。超高コントラスト、超低消費電力、ナノ秒応答を実現。

[SYS.02] ARアプリケーション

超高輝度（>10,000 nit）、屋外ARシナリオに最適。光導波路システムと組み合わせた近眼ディスプレイを実現し、次世代ARグラスのコア発光素子となる。

[SYS.03] 光インターコネクト

高速変調特性（>Gbps）、Microsoft MOSAICアーキテクチャに基づき、データセンターの短距離光インターコネクトの新ソリューションを提供。

[SYS.04] ボンディング・パッケージング

Cu-Cuハイブリッドボンディング技術によるウェーハレベル集積。CMOSドライバーバックプレーンとの異種集積が量産の鍵。

[SYS.05] 産業動向

Apple、Samsung、Sonyなどの大手がMicroLEDサプライチェーンに積極的に展開。2026-2027年に初の消費者向けARグラスの量産開始を予定。

[SYS.06] KEY_SPECIFICATIONS