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MicroLED 技术
探索下一代显示与通信技术的核心
[SYS.01] 核心技术原理
MicroLED 尺寸 <100μm，自发光显示，无需背光。EQE（外量子效率）提升是核心挑战，GaN 材料为主流路线。具有超高对比度、极低功耗和纳秒级响应时间等优势。
[SYS.02] AR 应用
超高亮度（>10,000 nit），适合户外 AR 使用场景。与光波导系统结合实现近眼显示，是下一代 AR 眼镜的核心发光器件。
[SYS.03] 光互联通信
高速调制特性（>Gbps），基于微软 MOSAIC 架构，提供数据中心短距光互联新方案。具备并行光传输能力，显著提升带宽密度。
[SYS.04] 键合封装
Cu-Cu 混合键合技术，实现晶圆级集成。与 CMOS 驱动背板的异构集成是量产关键，正在突破良率和成本瓶颈。
[SYS.05] 产业现状
Apple、三星、索尼等巨头积极布局 MicroLED 产业链。预计 2026-2027 年首款消费级 AR 眼镜量产，市场前景广阔。
[SYS.06] KEY_SPECIFICATIONS
- PIXEL_SIZE:
- < 100 μm
- BRIGHTNESS:
- > 10,000 nit
- RESPONSE_TIME:
- < 1 ns
- EQE_TARGET:
- > 50%
- MODULATION:
- > 1 Gbps